Que podría albergar datos informáticos y revolucionar el campo de los ordenadores, científicos españoles lideran el trabajo que demuestra que este cristal artificial podría sentar las bases de los elementos de las memorias del pasado...
 En un momento en el que los ordenadores comenzaban a ser el origen de lo que son hoy, el ingeniero Gordon Moore, quien en 1965 era director de los laboratorios Fairchild Semiconductor (aunque sería conocido después por fundar el gigante tecnológico Intel) postuló ya por entonces que los componentes informáticos (transistores) se harían cada vez más y más pequeños, pero albergando cada vez más y más información. Moore, en la ley que lleva su nombre, originalmente señaló que «el número de transistores por unidad de superficie en circuitos integrados se duplicaría cada año«, aunque después la reformuló a dos años. El problema es que la miniaturización de los componentes no es un proceso infinito: en algún momento, los actuales componentes no podrán construirse más pequeños. Es por ello que, en un mundo en el que dependemos cada vez más de la tecnología y la cantidad de información crece exponencialmente, los científicos se afanan en encontrar soluciones. Por ejemplo, se ha postulado que el silicio, que ahora es el 'rey' de las entrañas de los ordenadores, se convierta en grafeno, la promesa de la tecnología. No es la única solución. De hecho, ahora, un grupo internacional de investigadores liderados por la Universidad Complutense de Madrid junto con el Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC), acaba de crear un material que podría postularse como una nueva vía: un nuevo cristal artificial que no existe en la naturaleza pero que abre la puerta para aumentar la capacidad de almacenamiento y la eficiencia energética de los dispositivos informáticos del futuro. Los resultados acaban de publicarse en la revista 'Nature'. El trabajo, elaborado dentro de la Unidad Asociada UCM/CSIC 'Laboratorio de Heteroestructuras con aplicación en spintrónica', demuestra que en la interfase de unión entre capas ferroeléctricas rotadas de titanato de bario (BaTiO3) «aparecen propiedades emergentes que podrían producir una revolución en la ciencia y tecnología de materiales», explica Mar García, investigadora en el ICMM-CSIC. Es necesario conocer un par de conceptos para entender el asunto. Por un lado, hay que saber que los materiales ferroeléctricos, a semejanza de los ferromagnéticos (como los imanes), presentan un polo negativo y otro positivo, con la particularidad de que si se le añade un campo eléctrico, esta polaridad puede cambiar. «Si controlásemos esa propiedad, podríamos hacer, teóricamente, que un puñado de átomos se convirtiera en un bit», explica a ABC Hugo Aramberri, científico del Instituto de Ciencia y Tecnología de Luxemburgo (LIST, por sus siglas en inglés) y quien junto con Jorge Íñiguez-González, científico LIST y profesor afiliado de la Universidad de Luxemburgo también son firmantes del artículo. Leer el articulo completo, clic! enlace: ABC.es / Ciencia |
